STMicroelectronics IGBT, STGB50H65FB2, 86 A, 650 V, TO-263, 3 pines 1
- Código RS:
- 204-9869
- Nº ref. fabric.:
- STGB50H65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 204-9869
- Nº ref. fabric.:
- STGB50H65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector (Ic) | 86 A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) | 650 V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) | 20 V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector (Ic) 86 A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) 650 V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 3 | ||
Número de transistores 1 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) 20 V | ||
- COO (País de Origen):
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
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