STMicroelectronics IGBT, STGB50H65FB2, 86 A, 650 V, TO-263, 3 pines 1

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Código RS:
204-9869
Nº ref. fabric.:
STGB50H65FB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

86A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Número de transistores

1

Encapsulado

TO-263

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

COO (País de Origen):
CN
La serie IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Temperatura de unión máxima: TJ = 175 °C

VCE(sat) bajo = 1,55 V(típ.) a IC = 50 A

Corriente de cola minimizada

Distribución ajustada de los parámetros

Resistencia térmica baja

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