STMicroelectronics IGBT, STGB50H65FB2, 86 A, 650 V, TO-263, 3 pines 1
- Código RS:
- 204-9869
- Nº ref. fabric.:
- STGB50H65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 204-9869
- Nº ref. fabric.:
- STGB50H65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 86A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 86A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura de unión máxima: TJ = 175 °C
VCE(sat) bajo = 1,55 V(típ.) a IC = 50 A
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
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