IGBT, IHW40N65R6XKSA1, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- Código RS:
- 225-0574
- Nº ref. fabric.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,868 € | 14,34 € |
| 25 - 45 | 2,582 € | 12,91 € |
| 50 - 120 | 2,408 € | 12,04 € |
| 125 - 245 | 2,238 € | 11,19 € |
| 250 + | 2,064 € | 10,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-0574
- Nº ref. fabric.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 210 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 210 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El Infineon IHW40N65R6 es el IGBT de 650 V, 40 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.
Rango de frecuencia: 20-75 kHz
EMI bajo
Distribución de parámetros muy ajustada
TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.
EMI bajo
Distribución de parámetros muy ajustada
TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.