Infineon CI de transistor único IGBT, IHW30N120R5XKSA1, Tipo N-Canal, 60 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal 25 unidades (suministrado en tubo)*

62,00 €

(exc. IVA)

75,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 20 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 240 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
25 - 452,48 €
50 - 1202,292 €
125 - 2452,146 €
250 +1,99 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
226-6078P
Nº ref. fabric.:
IHW30N120R5XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

330W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

25 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.55V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.21mm

Serie

Resonant Switching

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

42mm

Estándar de automoción

No

El diodo de cuerpo monolítico completo de potencia Infineon IHW30N120R5 con baja tensión directa diseñado para conmutación suave solo y tiene alta resistencia, comportamiento estable a temperatura con VCEsat bajo.

Distribución de parámetros muy ajustada

EMI bajo

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.