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Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Encapsulado	TO-247-4LD
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Serie	FGHL75T65MQDTL4
	Longitud	15.87mm
	Altura	4.82mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Encapsulado TO-247-4LD
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Serie FGHL75T65MQDTL4
	Longitud 15.87mm
	Altura 4.82mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - FGHL75T65MQDTL4

El IGBT de velocidad de conmutación media FS4 de 650 V, 75 A de ON Semiconductor. Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

Coeficiente de temperatura positivo

Funcionamiento en paralelo sencillo

Pérdidas de conmutación

Pérdidas de conducción bajas

onsemi IGBT, FGHL75T65MQDTL4, 650 V, TO-247-4LD, 4 pines Superficie

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