IGBT, FGH4L50T65SQD, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30

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Código RS:
241-0726
Nº ref. fabric.:
FGH4L50T65SQD
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

15V

Disipación de Potencia Máxima

268 W

Número de transistores

30

Tipo de Encapsulado

TO-247-4LD

El IGBT de alta velocidad 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece el rendimiento óptimo al equilibrar pérdidas Vce(sat) y Eoff y sobreimpulso Vce de desconexión controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación bajas

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