IGBT, FGHL75T65LQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30
- Código RS:
- 241-0735
- Nº ref. fabric.:
- FGHL75T65LQDT
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 241-0735
- Nº ref. fabric.:
- FGHL75T65LQDT
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 469 W | |
| Número de transistores | 30 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-3L | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 469 W | ||
Número de transistores 30 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-3L | ||
IGBT ON Semiconductor de 650 V, 75 A FS4 baja Vce(sat). Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conducción bajas
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conducción bajas