onsemi IGBT, FGHL50T65MQDT, 650 V, TO-247-3L, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 241-0732
- Nº ref. fabric.:
- FGHL50T65MQDT
- Fabricante:
- onsemi
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- 241-0732
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- FGHL50T65MQDT
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Encapsulado | TO-247-3L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | FGHL50T65MQDT | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Altura | 4.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Encapsulado TO-247-3L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie FGHL50T65MQDT | ||
Longitud 15.87mm | ||
Altura 4.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
IGBT de velocidad de conmutación media de 650 V, 50 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación
Pérdidas de conducción bajas
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