IGBT, FGHL50T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30
- Código RS:
- 241-0732
- Nº ref. fabric.:
- FGHL50T65MQDT
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 241-0732
- Nº ref. fabric.:
- FGHL50T65MQDT
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 268 W | |
| Número de transistores | 30 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-3L | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 268 W | ||
Número de transistores 30 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-3L | ||
IGBT de velocidad de conmutación media de 650 V, 50 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación
Pérdidas de conducción bajas
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación
Pérdidas de conducción bajas