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Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	268W
	Encapsulado	TO-247-4LD
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	15 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	15.8mm
	Serie	FGH4L50T65SQD
	Altura	5.2mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 268W
	Encapsulado TO-247-4LD
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 15 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 15.8mm
	Serie FGH4L50T65SQD
	Altura 5.2mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - FGH4L50T65SQD

El IGBT de alta velocidad 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece el rendimiento óptimo al equilibrar pérdidas Vce(sat) y Eoff y sobreimpulso Vce de desconexión controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

Coeficiente de temperatura positivo

Funcionamiento en paralelo sencillo

Pérdidas de conmutación bajas

onsemi IGBT, 650 V, TO-247-4LD, 4 pines Superficie

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