onsemi IGBT, 650 V, TO-247-4LD, 4 pines Superficie
- Código RS:
- 241-0725
- Nº ref. fabric.:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 241-0725
- Nº ref. fabric.:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Encapsulado | TO-247-4LD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 15 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 22.74 mm | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 5.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | FGH4L50T65SQD | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Encapsulado TO-247-4LD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 15 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 22.74 mm | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 5.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie FGH4L50T65SQD | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de alta velocidad 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece el rendimiento óptimo al equilibrar pérdidas Vce(sat) y Eoff y sobreimpulso Vce de desconexión controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación bajas