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Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	268W
	Encapsulado	TO-247-4LD
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Serie	FGHL50T65MQDT
	Longitud	15.87mm
	Altura	4.82mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 268W
	Encapsulado TO-247-4LD
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Serie FGHL50T65MQDT
	Longitud 15.87mm
	Altura 4.82mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - FGHL50T65MQDTL4

IGBT de velocidad de conmutación media de 650 V, 50 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

Coeficiente de temperatura positivo

Funcionamiento en paralelo sencillo

Pérdidas de conmutación

Pérdidas de conducción bajas

onsemi IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 650 V, TO-247-4LD, 3 pines Superficie

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