onsemi IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 650 V, TO-247-4LD, 3 pines Superficie

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
241-0730
Nº ref. fabric.:
FGHL50T65MQDTL4
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

268W

Encapsulado

TO-247-4LD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

FGHL50T65MQDT

Longitud

15.87mm

Altura

4.82mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

IGBT de velocidad de conmutación media de 650 V, 50 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas Vce(sat) y Eoff y un rebasamiento Vce bien controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.

Coeficiente de temperatura positivo

Funcionamiento en paralelo sencillo

Pérdidas de conmutación

Pérdidas de conducción bajas

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