Módulo IGBT, FS950R08A6P2BBPSA1, 950 A, 750 V, HybridPACK 6
- Código RS:
- 244-5877
- Nº ref. fabric.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 6 + | 490,652 € | 2.943,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-5877
- Nº ref. fabric.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 950 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 750 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 870 W | |
| Número de transistores | 6 | |
| Tipo de Encapsulado | HybridPACK | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 950 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 750 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 870 W | ||
Número de transistores 6 | ||
Tipo de Encapsulado HybridPACK | ||
La unidad de módulo IGBT de Infineon es un módulo de seis paquetes muy compacto (750 V/950 A) y optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia incorpora la nueva generación de IGBT EDT2, que es un diseño de célula de zanja-parada de campo de micropatrón de automoción optimizado para aplicaciones de tren de accionamiento eléctrico. El chipset tiene densidad de corriente de referencia combinada con resistencia a cortocircuitos y una mayor tensión de bloqueo para un funcionamiento fiable del inversor en condiciones ambientales hostiles. Los IGBT EDT2 también presentan excelentes pérdidas de potencia en carga ligera, lo que ayuda a mejorar la eficiencia del sistema en un ciclo de conducción real. El IGBT EDT2 se ha optimizado para aplicaciones con frecuencias de conmutación en el rango de 10 kHz.
Características eléctricas
Tensión de bloqueo de 750 V
Baja VCEsat
Bajas pérdidas de conmutación
Bajo Qg y crss
Diseño inductivo bajo Tvj op = 150 ° C
Temperatura de funcionamiento prolongada de corto tiempo Tvj op = 175 ° C
Características mecánicas
Aislamiento de 4,2 kV dc de 1 s
Distancias de fuga y separación grandes
Diseño compacto
Alta densidad de potencia
Placa base PinFin con refrigeración directa
Elementos guía para PCB y un montaje más fresco
Sensor de temperatura NTC integrado
Tecnología de contacto Pressfit
Conforme con RoHS
Bastidor de módulo UL 94 V0
Tensión de bloqueo de 750 V
Baja VCEsat
Bajas pérdidas de conmutación
Bajo Qg y crss
Diseño inductivo bajo Tvj op = 150 ° C
Temperatura de funcionamiento prolongada de corto tiempo Tvj op = 175 ° C
Características mecánicas
Aislamiento de 4,2 kV dc de 1 s
Distancias de fuga y separación grandes
Diseño compacto
Alta densidad de potencia
Placa base PinFin con refrigeración directa
Elementos guía para PCB y un montaje más fresco
Sensor de temperatura NTC integrado
Tecnología de contacto Pressfit
Conforme con RoHS
Bastidor de módulo UL 94 V0