Infineon Módulo IGBT, 750 V, HybridPACK 6
- Código RS:
- 244-5877
- Nº ref. fabric.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5877
- Nº ref. fabric.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 750V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 870W | |
| Número de transistores | 6 | |
| Encapsulado | HybridPACK | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.35V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC24720 and IEC16022 | |
| Serie | FS950R08A6P2BBPSA1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 750V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 870W | ||
Número de transistores 6 | ||
Encapsulado HybridPACK | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.35V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC24720 and IEC16022 | ||
Serie FS950R08A6P2BBPSA1 | ||
Estándar de automoción No | ||
La unidad de módulo IGBT de Infineon es un módulo de seis paquetes muy compacto (750 V/950 A) y optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia incorpora la nueva generación de IGBT EDT2, que es un diseño de célula de zanja-parada de campo de micropatrón de automoción optimizado para aplicaciones de tren de accionamiento eléctrico. El chipset tiene densidad de corriente de referencia combinada con resistencia a cortocircuitos y una mayor tensión de bloqueo para un funcionamiento fiable del inversor en condiciones ambientales hostiles. Los IGBT EDT2 también presentan excelentes pérdidas de potencia en carga ligera, lo que ayuda a mejorar la eficiencia del sistema en un ciclo de conducción real. El IGBT EDT2 se ha optimizado para aplicaciones con frecuencias de conmutación en el rango de 10 kHz.
Características eléctricas
Tensión de bloqueo de 750 V
Baja VCEsat
Bajas pérdidas de conmutación
Bajo Qg y crss
Diseño inductivo bajo Tvj op = 150 ° C
Temperatura de funcionamiento prolongada de corto tiempo Tvj op = 175 ° C
Características mecánicas
Aislamiento de 4,2 kV dc de 1 s
Distancias de fuga y separación grandes
Diseño compacto
Alta densidad de potencia
Placa base PinFin con refrigeración directa
Elementos guía para PCB y un montaje más fresco
Sensor de temperatura NTC integrado
Tecnología de contacto Pressfit
Conforme con RoHS
Bastidor de módulo UL 94 V0