Módulo IGBT, DF200R07W2H3B77BPSA1, 40 A, 70 A, 650 V 4
- Código RS:
- 248-1195
- Nº ref. fabric.:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 248-1195
- Nº ref. fabric.:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A, 70 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A, 70 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada. Este dispositivo tiene una configuración de impulsor y utiliza la tecnología IGBT HighSpeed 3.
Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia