Infineon Módulo IGBT, DF200R07W2H3B77BPSA1, 650 V Orificio pasante 4
- Código RS:
- 248-1196
- Nº ref. fabric.:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 47,39 € |
| 2 - 4 | 45,02 € |
| 5 - 9 | 43,13 € |
| 10 - 19 | 41,23 € |
| 20 + | 39,34 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 248-1196
- Nº ref. fabric.:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Número de transistores | 4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 12mm | |
| Longitud | 56.7mm | |
| Serie | DF200R07W2H3B77 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 48 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Número de transistores 4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 12mm | ||
Longitud 56.7mm | ||
Serie DF200R07W2H3B77 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 48 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada. Este dispositivo tiene una configuración de impulsor y utiliza la tecnología IGBT HighSpeed 3.
Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia