Módulo IGBT, DF200R07W2H3B77BPSA1, 40 A, 70 A, 650 V 4

Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada. Este dispositivo tiene una configuración de impulsor y utiliza la tecnología IGBT HighSpeed 3.

Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia