Módulo IGBT, F3L150R07W2H3B11BPSA1, 85 A, 650 V 4

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Código RS:
248-1201
Nº ref. fabric.:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

85 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

20 mW

Número de transistores

4

Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT HighSpeed 3.

Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia

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