Nº ref. fabric.

Infineon IGBT, 40 A, 650 V, TO-220 Orificio pasante

Código RS:: 258-0988
Nº ref. fabric.:: IGP40N65F5XKSA1
Fabricante:: Infineon

Infineon IGBT, 40 A, 650 V, TO-220 Orificio pasante

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Código RS:: 258-0988
Nº ref. fabric.:: IGP40N65F5XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	40A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 ±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.6V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	29.95mm
	Serie	High Speed Fifth Generation
	Altura	4.57mm
	Anchura	10.36mm
	Certificaciones y estándares	JEDEC
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 40A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 29.95mm
	Serie High Speed Fifth Generation
	Altura 4.57mm
	Anchura 10.36mm
	Certificaciones y estándares JEDEC
	Estándar de automoción No

Datasheet - IGP40N65F5XKSA1

El IGBT TRENCHSTOP 5 de 40 A de 650 V de conmutación rígida de Infineon discreto en encapsulado TO-247 para demandas de alta eficiencia. Mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo.

Reducción de 00 mV en V CE(sat)

Bajo C OES/E OSS

Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)

Estabilidad de temperatura de V f

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