Infineon IGBT, 40 A, 650 V, TO-220 Orificio pasante
- Código RS:
- 258-0988
- Nº ref. fabric.:
- IGP40N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,478 € | 73,90 € |
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- Código RS:
- 258-0988
- Nº ref. fabric.:
- IGP40N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Anchura | 10.36 mm | |
| Longitud | 29.95mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Anchura 10.36 mm | ||
Longitud 29.95mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT TRENCHSTOP 5 de 40 A de 650 V de conmutación rígida de Infineon discreto en encapsulado TO-247 para demandas de alta eficiencia. Mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo.
Reducción de 00 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
Estabilidad de temperatura de V f