Infineon IGBT, IGP30N65F5XKSA1, 30 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 258-0987
- Nº ref. fabric.:
- IGP30N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,39 € | 2,78 € |
| 10 - 18 | 1,25 € | 2,50 € |
| 20 - 28 | 1,025 € | 2,05 € |
| 30 - 38 | 0,865 € | 1,73 € |
| 40 + | 0,80 € | 1,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0987
- Nº ref. fabric.:
- IGP30N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 29.95mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 29.95mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología IGBT TRENCHSTOP 5 de Infineon redefine el mejor IGBT de su clase al proporcionar un rendimiento inigualable en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación rígida. La nueva familia es un gran avance en la innovación IGBT para adaptarse a las demandas de alta eficiencia del mercado del futuro.
Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia de alta velocidad 3 mejor de su clase de Infineon
Es posible un aumento de 50 V en la tensión del bus sin comprometer la fiabilidad
Diseño de mayor densidad de potencia
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