Módulo IGBT, F3L100R07W2H3B11BPSA1, 70 A, 650 V 4
- Código RS:
- 248-1200
- Nº ref. fabric.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 50,83 € |
| 2 - 4 | 48,29 € |
| 5 - 9 | 46,26 € |
| 10 - 19 | 44,22 € |
| 20 + | 42,19 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 248-1200
- Nº ref. fabric.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 70 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 70 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada.
Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos
Alto grado de libertad en el diseño, y utiliza tecnología IGBT HighSpeed 3
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Alto grado de libertad en el diseño, y utiliza tecnología IGBT HighSpeed 3
Máxima eficiencia y densidad de potencia