Módulo transistor IGBT, SKM150GB12F4, 150 A, 1200 V 2
- Código RS:
- 248-6695
- Nº ref. fabric.:
- SKM150GB12F4
- Fabricante:
- Semikron
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 248-6695
- Nº ref. fabric.:
- SKM150GB12F4
- Fabricante:
- Semikron
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±15.0V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Medio puente | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±15.0V | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Medio puente | ||
El módulo IGBT de la serie SEMITRANS de Semikron tiene un colector de 1.200 V para la tensión de emisión. Se utiliza principalmente en SAI, soldadores electrónicos, calefacción inductiva, fuentes de alimentación de modo conmutado.
Mayor capacidad de ciclo de potencia
Placa base de cobre aislada con tecnología DBC (cobre unido directamente)
Para frecuencias de conmutación superiores a 15 kHz
Placa base de cobre aislada con tecnología DBC (cobre unido directamente)
Para frecuencias de conmutación superiores a 15 kHz