IGBT, BIDW20N60T, 20 A, 600 V, TO-247 1
- Código RS:
- 253-3504
- Nº ref. fabric.:
- BIDW20N60T
- Fabricante:
- Bourns
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 600 + | 1,684 € | 1.010,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 253-3504
- Nº ref. fabric.:
- BIDW20N60T
- Fabricante:
- Bourns
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Bourns | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 20 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 192 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Diodo simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Bourns | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 20 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 192 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Diodo simple | ||
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una pérdida de conducción más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona un coeficiente de temperatura positivo.
600 V, 20 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Pérdida de conmutación baja
Conforme con RoHS
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Pérdida de conmutación baja
Conforme con RoHS