IGBT, BIDW50N65T, 50 A, 650 V, TO-247 1
- Código RS:
- 253-3508
- Nº ref. fabric.:
- BIDW50N65T
- Fabricante:
- Bourns
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 253-3508
- Nº ref. fabric.:
- BIDW50N65T
- Fabricante:
- Bourns
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Bourns | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 416 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Diodo simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Bourns | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 416 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Diodo simple | ||
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona una menor resistencia térmica R(th).
650 V, 50 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Conforme con RoHS
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Conforme con RoHS