IGBT, STGWA30H65DFB2, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1
- Código RS:
- 204-9877
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
59,94 €
(exc. IVA)
72,54 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 630 unidad(es) más para enviar a partir del 31 de diciembre de 2025
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,998 € | 59,94 € |
| 120 - 270 | 1,84 € | 55,20 € |
| 300 - 570 | 1,792 € | 53,76 € |
| 600 - 1170 | 1,746 € | 52,38 € |
| 1200 + | 1,702 € | 51,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-9877
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 167 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 167 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 30 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 30 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja