Bourns IGBT, BIDW50N65T, 100 A, 650 V, TO-247
- Código RS:
- 253-3509
- Nº ref. fabric.:
- BIDW50N65T
- Fabricante:
- Bourns
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
8,06 €
(exc. IVA)
9,76 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1102 unidad(es) más para enviar a partir del 16 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,03 € | 8,06 € |
| 10 - 48 | 3,625 € | 7,25 € |
| 50 - 98 | 3,415 € | 6,83 € |
| 100 - 248 | 2,975 € | 5,95 € |
| 250 + | 2,915 € | 5,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 253-3509
- Nº ref. fabric.:
- BIDW50N65T
- Fabricante:
- Bourns
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Bourns | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 100A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Bourns | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 100A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona una menor resistencia térmica R(th).
650 V, 50 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Conforme con RoHS