Infineon IGBT, IGW40N65H5FKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 258-0991
- Nº ref. fabric.:
- IGW40N65H5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,24 € |
| 10 - 24 | 4,02 € |
| 25 - 49 | 3,86 € |
| 50 - 99 | 3,68 € |
| 100 + | 3,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0991
- Nº ref. fabric.:
- IGW40N65H5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología IGBT TRENCHSTOP 5 de Infineon redefine el mejor IGBT de su clase al proporcionar un rendimiento inigualable en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación rígida. La nueva familia es un gran avance en la innovación IGBT para satisfacer las demandas de alta eficiencia de los mercados del futuro.
Tensión de ruptura de 650 V
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación