Infineon IGBT, IKW20N65ET7XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 258-1011
- Nº ref. fabric.:
- IKW20N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,63 € |
| 10 - 24 | 2,50 € |
| 25 - 49 | 2,45 € |
| 50 - 99 | 2,29 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 258-1011
- Nº ref. fabric.:
- IKW20N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.3mm | |
| Anchura | 16.3 mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.3mm | ||
Anchura 16.3 mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon Hard-switching 650 V, 20 A TRENCHSTOP IGBT7 discreto en paquete TO-247 con diodo EC7 suave en su interior. Esta gama de rendimiento optimizado de precio tiene una controlabilidad superior para mejorar la EMI, mientras que las pérdidas de conmutación son más bajas que las tecnologías anteriores.
VCEsat muy bajo
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de extremo corto
EMI reducida