Módulo IGBT, FP15R12W1T4B11BOMA1, 28 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7398
- Nº ref. fabric.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | 37,193 € | 892,63 € |
| 120 + | 34,093 € | 818,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7398
- Nº ref. fabric.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 28 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 130 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 28 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 130 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 15 A. Se trata de una solución superior para accionamientos de inversor controlados por frecuencia. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT4, 4 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT.
Resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Concepto de módulo compacto
Diseño de módulo de baja inductancia de desviación
Alta densidad de potencia
Concepto de módulo compacto
Diseño de módulo de baja inductancia de desviación