Módulo IGBT, FS150R12PT4BOSA1, 200 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7404
- Nº ref. fabric.:
- FS150R12PT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 6 - 6 | 214,76 € | 1.288,56 € |
| 12 + | 195,217 € | 1.171,30 € |
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- Código RS:
- 273-7404
- Nº ref. fabric.:
- FS150R12PT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 680 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 200 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 680 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene VCEsat con coeficiente de temperatura positivo. Este módulo GBT tiene una tensión del emisor del colector de 1200 V y una corriente del colector dc continua de 150 A. Este módulo IGBT se utiliza para convertidores de alta potencia, accionamientos de motor y aplicaciones de sistemas UPS.
VCEsat bajo
Carcasa estándar
Placa base aislada
Pérdidas de conmutación bajas
Carcasa estándar
Placa base aislada
Pérdidas de conmutación bajas