IGBT, IGB30N60H3ATMA1, 60 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines 1
- Código RS:
- 273-7424
- Nº ref. fabric.:
- IGB30N60H3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7424
- Nº ref. fabric.:
- IGB30N60H3ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 187 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 187 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El IGBT de Infineon es un IGBT de alta velocidad en tecnología de bloqueo de trinchera y campo. Este IGBT tiene una temperatura de unión máxima de 175 grados centígrados y está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones dirigidas. Este IGBT se recomienda para sistemas de alimentación ininterrumpidos, convertidores de soldadura y convertidores con aplicaciones de alta frecuencia de conmutación.
Baja EMI
VCEsat bajo
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Energía de desconexión muy baja
Compuesto moldeado sin halógenos
VCEsat bajo
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Energía de desconexión muy baja
Compuesto moldeado sin halógenos