Infineon IGBT, 60 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 pines Orificio pasante, 239 ns

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

3,13 €

(exc. IVA)

3,788 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 984 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 481,565 €3,13 €
50 - 981,42 €2,84 €
100 - 2481,30 €2,60 €
250 - 4981,21 €2,42 €
500 +1,18 €2,36 €

*precio indicativo

Código RS:
273-7425
Nº ref. fabric.:
IGB30N60H3ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Encapsulado

PG-TO263-3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

239ns

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.57mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

TrenchStop

Anchura

9.45 mm

Longitud

10.31mm

Estándar de automoción

No

El IGBT de Infineon es un IGBT de alta velocidad en tecnología de bloqueo de trinchera y campo. Este IGBT tiene una temperatura de unión máxima de 175 grados centígrados y está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones dirigidas. Este IGBT se recomienda para sistemas de alimentación ininterrumpidos, convertidores de soldadura y convertidores con aplicaciones de alta frecuencia de conmutación.

Baja EMI

VCEsat bajo

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Energía de desconexión muy baja

Compuesto moldeado sin halógenos

Enlaces relacionados

Recently viewed