IGBT, STGD4H60DF, 4 A, 600 V, DPAK, 3-Pines 1
- RS Stock No.:
- 287-7045
- Mfr. Part No.:
- STGD4H60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
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Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 28 | 0,475 € | 0,95 € |
| 30 - 58 | 0,43 € | 0,86 € |
| 60 - 118 | 0,385 € | 0,77 € |
| 120 - 238 | 0,345 € | 0,69 € |
| 240 + | 0,305 € | 0,61 € |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 287-7045
- Mfr. Part No.:
- STGD4H60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 4 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Colector único, emisor simple, puerta simple | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 75 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Colector único, emisor simple, puerta simple | ||
Tipo de Encapsulado DPAK | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
El tope de campo de compuerta de zanja de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una avanzada estructura de tope de campo de compuerta de zanja patentada. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Baja resistencia térmica
Capacidad de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida
Capacidad de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida