STMicroelectronics IGBT, STGD4H60DF Colector único, 4 A, 600 V, TO-252, 3 pines 1 Superficie
- Código RS:
- 287-7045
- Nº ref. fabric.:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 287-7045
- Nº ref. fabric.:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 4A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Configuración | Colector único | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Anchura | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 4A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Configuración Colector único | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 1.7mm | ||
Anchura 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El interruptor de campo de puerta de trinchera de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de interruptor de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Resistencia térmica baja
Valor nominal de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida
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