STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGD18N40LZT4, Tipo N-Canal, 30 A, 390 V, TO-252, 3 pines Superficie, 1 MHz
- Código RS:
- 795-9019
- Nº ref. fabric.:
- STGD18N40LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 5 unidades)*
9,18 €
(exc. IVA)
11,11 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2460 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,836 € | 9,18 € |
| 25 - 45 | 1,742 € | 8,71 € |
| 50 - 120 | 1,568 € | 7,84 € |
| 125 - 245 | 1,408 € | 7,04 € |
| 250 + | 1,34 € | 6,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 795-9019
- Nº ref. fabric.:
- STGD18N40LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 390V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | STGD18N40LZ | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101 | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Energía nominal | 180mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 390V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie STGD18N40LZ | ||
Longitud 6.6mm | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101 | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Energía nominal 180mJ | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT 30 A TO-252 1 MHz
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT 25 A TO-252 8.4 μs
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT Tipo N-Canal 450 V 3 pines Superficie, 8.4 μs
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT 46 A TO-263, 3 pines Superficie
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT Tipo N-Canal 390 V 3 pines Superficie
- STMicroelectronics IGBT 5 A TO-252 690 ns
- onsemi AEC-Q101 IGBT de encendido 21 A TO-252 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Superficie, 690 ns