STMicroelectronics IGBT, STGF14NC60KD, Tipo N-Canal, 11 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

10,14 €

(exc. IVA)

12,27 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 07 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 52,028 €10,14 €
10 - 951,72 €8,60 €
100 - 4951,288 €6,44 €
500 - 9951,092 €5,46 €
1000 +0,932 €4,66 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
795-9072
Nº ref. fabric.:
STGF14NC60KD
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

11A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHZ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

16.4mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados