JFET, MMBF4393LT1G, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 864-7846
- Nº ref. fabric.:
- MMBF4393LT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,18 € | 9,00 € |
| 500 - 950 | 0,156 € | 7,80 € |
| 1000 + | 0,135 € | 6,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 864-7846
- Nº ref. fabric.:
- MMBF4393LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 5 to 30mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | +30 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 30V | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 Ω | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Drenador-Fuente | 14pF | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 14pF | |
| Dimensiones | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.01mm | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 5 to 30mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente +30 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 30V | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 100 Ω | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Drenador-Fuente 14pF | ||
Capacidad Fuente-Puerta 14pF | ||
Dimensiones 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.01mm | ||
Ancho 1.4mm | ||
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)