AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V01A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 128 kB, 16k x 8 Bit, 16 ns, 3.6 V, 2 V

Ver todo Memoria FRAM

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

7,96 €

(exc. IVA)

9,64 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1246 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 +3,98 €7,96 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
124-2985
Nº ref. fabric.:
FM25V01A-G
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

128kB

Tipo de producto

FRAM

Tipo de interfaz

SPI

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

16ns

Frecuencia del reloj máxima

40MHZ

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Longitud

4.97mm

Altura

1.38mm

Certificaciones y estándares

No

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Tensión de alimentación mínima

2V

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de palabras

16k

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Número de bits por palabra

8

FRAM, Cypress Semiconductor


La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)


FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

Enlaces relacionados