AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 128 kB, 16K x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V

Código RS:: 188-5417
Nº ref. fabric.:: FM25V01A-G
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 128 kB, 16K x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
97 - 97	3,648 €	353,86 €
194 - 194	3,389 €	328,73 €
291 - 485	3,301 €	320,20 €
582 - 970	3,218 €	312,15 €
1067 +	3,134 €	304,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-5417
Nº ref. fabric.:: FM25V01A-G
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	FRAM
	Tamaño de la memoria	128kB
	Organización	16K x 8 bits
	Tipo de interfaz	SPI
	Ancho del bus de datos	8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	16ns
	Tipo de montaje	Superficie
	Frecuencia del reloj máxima	40MHZ
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Anchura	3.98mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	4.97mm
	Altura	1.38mm
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Tensión de alimentación mínima	2V
	Número de palabras	16k
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Número de bits por palabra	8
	Tensión de alimentación máxima	3.6V

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto FRAM
	Tamaño de la memoria 128kB
	Organización 16K x 8 bits
	Tipo de interfaz SPI
	Ancho del bus de datos 8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 16ns
	Tipo de montaje Superficie
	Frecuencia del reloj máxima 40MHZ
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Anchura 3.98mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 4.97mm
	Altura 1.38mm
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Tensión de alimentación mínima 2V
	Número de palabras 16k
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Número de bits por palabra 8
	Tensión de alimentación máxima 3.6V

Datasheet FM25V01A-G

COO (País de Origen):: US

FRAM de Infineon, tamaño de memoria de 128 kB, tensión de alimentación máxima de 3,6 V - FM25V01A-G

Esta FRAM es un dispositivo de memoria no volátil diseñado para entornos integrados y de automoción, que proporciona almacenamiento de datos persistente con acceso SPI serie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para aplicaciones industriales y de vehículos y está diseñado para la integración de PCB de montaje en superficie en sistemas compactos.

Características y ventajas:

• El reloj SPI de 40 MHz permite transferencias de datos serie más rápidas
• El tiempo máximo de acceso aleatorio de 16 ns admite lecturas rápidas
• 128 kB organizados como 16 Kx8 ofrece almacenamiento direccionable por byte
• Funciona de 2 a 3,6 V para diseños de carril de alimentación flexibles
• Cualificado conforme a AEC-Q100 para la integración de sistemas de automoción
• El montaje en superficie SOIC de 8 contactos reduce el tamaño de la placa

Aplicaciones

• Apto para el registro de datos y el almacenamiento de parámetros de automoción
• Ideal para controladores integrados que requieren RAM no volátil
• Se utiliza con sensores de baja potencia que necesitan escrituras frecuentes
• Puede utilizarse para calibración y retención de configuración
• Adecuado para electrónica industrial que funciona entre –40 y 85 °C

¿Qué interfaz proporciona la conexión del microcontrolador?

Communication utiliza una interfaz de periféricos serie (SPI) compatible con controladores maestros estándar y admite velocidades de reloj de hasta 40 MHz para intercambios de alto rendimiento.

¿Qué consideraciones de encapsulado y montaje se aplican durante el montaje de PCB?

El dispositivo se suministra en un encapsulado SOIC de 8 pines diseñado para montaje en superficie y procesos de soldadura por reflujo estándar.

¿Cómo se comporta el dispositivo en rangos de temperatura de automoción?

Funciona a un mínimo de –40 °C hasta un máximo de 85 °C, lo que satisface las demandas de temperatura típicas de la electrónica de vehículos.

¿Qué límites eléctricos deben observar los diseñadores para los carriles de alimentación?

La memoria acepta tensiones de alimentación de un mínimo de 2 V hasta un máximo de 3,6 V

los diseños deben garantizar que los carriles permanezcan dentro de este rango para mantener un funcionamiento fiable.