AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 256 kB, 32K x 8 bits, 20 ns, 5.5V, 2.7 V
- Código RS:
- 188-5425
- Nº ref. fabric.:
- FM25W256-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 188-5425
- Nº ref. fabric.:
- FM25W256-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 20ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 20MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Anchura | 3.98mm | |
| Longitud | 4.97mm | |
| Altura | 1.38mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Número de palabras | 32k | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 20ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 20MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Anchura 3.98mm | ||
Longitud 4.97mm | ||
Altura 1.38mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Número de palabras 32k | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
- COO (País de Origen):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
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