FRAM Infineon, 8 pines, SOIC-8, Serie I2C, 16 kB, 2K x 8 bits, 5.5V, 4.5 V
- Código RS:
- 273-7377
- Nº ref. fabric.:
- FM24C16B-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7377
- Nº ref. fabric.:
- FM24C16B-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 16kB | |
| Organización | 2K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Encapsulado | SOIC-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de palabras | 2k | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 16kB | ||
Organización 2K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie I2C | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Encapsulado SOIC-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de palabras 2k | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Estándar de automoción No | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 16 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, las sobrecargas y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de autobuses puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.
Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Interfaz serial rápida de 2 cables
Alta resistencia con 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
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