Alliance Memory Memoria flash NAND, Paralelo AS9F32G08SA-25BIN 2 Gb, 25 μs, FBGA, 63 pines

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Código RS:
665-374
Nº ref. fabric.:
AS9F32G08SA-25BIN
Fabricante:
Alliance Memory
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Marca

Alliance Memory

Tamaño de la memoria

2Gb

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

FBGA

Número de pines

63

Tipo de célula

NAND

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

105°C

Altura

1mm

Longitud

11mm

Certificaciones y estándares

ONFI 1.0, RoHS

Anchura

9mm

Estándar de automoción

No

Número de bits por palabra

16

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25μs

Serie

AS9Fxx

COO (País de Origen):
KR
El flash NAND paralelo SLC de 2 Gb de Alliance Memory dispone de una interfaz de E/S de 8 bits y funciona con una fuente de alimentación de 3,3 V dc. Diseñada con rentabilidad en mente, su estructura de celda NAND ofrece una solución eficiente para el almacenamiento de masa de estado sólido. La memoria se divide en bloques borrables de manera independiente, lo que permite conservar datos válidos mientras se borran datos antiguos. Los comandos, los datos y las direcciones se introducen de manera síncrona mediante los contactos de entrada CE, WE, RE, ALE y CLE. Un controlador de borrado/programación integrado automatiza todas las operaciones de programación y borrado, incluida la repetición de impulsos, la verificación interna y el margen de datos. Las operaciones de modificación se pueden asegurar mediante la entrada WP para evitar cambios no deseados.

Programa de copia de retorno que realiza una copia rápida de datos sin búfer externo

Búfer de lectura interno de caché para mejorar el rendimiento de lectura

Interfaz sencilla de activación de chip con microcontrolador

Borrado de programa de lectura de registro de estado normal

El programa de protección de datos de hardware se bloquea durante las transiciones de alimentación

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