Alliance Memory Memoria flash NAND, Paralelo AS9F38G08SA-25BIN 8 Gb, 25 μs, FBGA, 63 pines
- Código RS:
- 665-376
- Nº ref. fabric.:
- AS9F38G08SA-25BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 665-376
- Nº ref. fabric.:
- AS9F38G08SA-25BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 8Gb | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 63 | |
| Tipo de célula | NAND | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 105°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 11mm | |
| Anchura | 9mm | |
| Certificaciones y estándares | ONFI 1.0, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Serie | AS9Fxx | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 25μs | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 8Gb | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 63 | ||
Tipo de célula NAND | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 105°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 11mm | ||
Anchura 9mm | ||
Certificaciones y estándares ONFI 1.0, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Serie AS9Fxx | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 25μs | ||
- COO (País de Origen):
- KR
El flash NAND paralelo SLC de 8 Gb de Alliance Memory dispone de una interfaz de E/S de 8 bits y funciona con una fuente de alimentación de 3,3 V dc. Diseñada con rentabilidad en mente, su estructura de celda NAND ofrece una solución eficiente para el almacenamiento de masa de estado sólido. La memoria se divide en bloques borrables de manera independiente, lo que permite conservar datos válidos mientras se borran datos antiguos. Los comandos, los datos y las direcciones se introducen de manera síncrona mediante los contactos de entrada CE, WE, RE, ALE y CLE. Un controlador de borrado/programación integrado automatiza todas las operaciones de programación y borrado, incluida la repetición de impulsos, la verificación interna y el margen de datos. Las operaciones de modificación se pueden asegurar mediante la entrada WP para evitar cambios no deseados.
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