Alliance Memory Memoria flash NAND, Paralelo AS9F34G08SA-25BIN 4 Gb, 25 μs, FBGA, 63 pines

El flash NAND paralelo SLC de 4 Gb de Alliance Memory dispone de una interfaz de E/S de 8 bits y funciona con una fuente de alimentación de 3,3 V dc. Diseñada con rentabilidad en mente, su estructura de celda NAND ofrece una solución eficiente para el almacenamiento de masa de estado sólido. La memoria se divide en bloques borrables de manera independiente, lo que permite conservar datos válidos mientras se borran datos antiguos. Los comandos, los datos y las direcciones se introducen de manera síncrona mediante los contactos de entrada CE, WE, RE, ALE y CLE. Un controlador de borrado/programación integrado automatiza todas las operaciones de programación y borrado, incluida la repetición de impulsos, la verificación interna y el margen de datos. Las operaciones de modificación se pueden asegurar mediante la entrada WP para evitar cambios no deseados.

Programa de copia de retorno que realiza una copia rápida de datos sin búfer externo