MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD3NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 2.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-418
Nº ref. fabric.:
STD3NK60ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.8nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.1mm

Anchura

6.6 mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, una optimización del Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia, estos dispositivos están diseñados para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protección Zener

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