MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 2.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
151-950
Nº ref. fabric.:
STD3NK60Z-1
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics desarrollado con la tecnología Super MESH, una optimización de la bien establecida Power MESH. Además de una reducción significativa de la resistencia, estos dispositivos están diseñados para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

100% avalancha probada

Carga de puerta minimizada

Muy baja capacitancia intrínseca

Protegido Zener

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