MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD3NK60Z-1, VDSS 600 V, ID 2.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 151-949
- Nº ref. fabric.:
- STD3NK60Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | 0,418 € | 31,35 € |
| 750 - 1425 | 0,397 € | 29,78 € |
| 1500 + | 0,368 € | 27,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-949
- Nº ref. fabric.:
- STD3NK60Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics desarrollado con la tecnología Super MESH, una optimización de la bien establecida Power MESH. Además de una reducción significativa de la resistencia, estos dispositivos están diseñados para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% avalancha probada
Carga de puerta minimizada
Muy baja capacitancia intrínseca
Protegido Zener
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