MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFU420PBF, VDSS 500 V, ID 2.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 152-6352
- Nº ref. fabric.:
- IRFU420PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
8,36 €
(exc. IVA)
10,12 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,836 € | 8,36 € |
| 100 - 240 | 0,812 € | 8,12 € |
| 250 - 490 | 0,792 € | 7,92 € |
| 500 - 990 | 0,773 € | 7,73 € |
| 1000 + | 0,754 € | 7,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 152-6352
- Nº ref. fabric.:
- IRFU420PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | IRFU420 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie IRFU420 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie IRFU420 de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 500 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,4 A - IRFU420PBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para tareas de conversión de potencia y control de montaje en superficie en sistemas industriales. Funciona como un dispositivo de modo de mejora de canal N adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión de fuente de drenaje elevada y una corriente continua moderada, con un encapsulado IPAK de 3 contactos diseñado para la integración compacta a nivel de placa.
Características y ventajas:
• Resistencia a la fuente de drenaje de 500 V para capacidad de conmutación de alta tensión • 3 Ω RDS(on) para pérdidas de conducción en estado activado predecibles • corriente de drenaje continua de 2,4 A para un funcionamiento de carga sostenida • Carga de puerta típica de 19 nC para ayudar a la estimación de energía de conmutación • Disipación de potencia máxima de 42 W para el margen de diseño térmico • Rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C para entornos térmicos amplios
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de puerta de accionamiento de motor industrial • Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión • Se utiliza para protección de tensión de línea y circuitos amortiguadores • Puede utilizarse en controladores y relés de control de automatización
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
Mantenga las excursiones de puerta dentro de ±20 V con respecto a la fuente para evitar sobretensión de óxido de puerta y garantizar la fiabilidad de conmutación a largo plazo.
¿Cómo deben gestionarse las restricciones térmicas en la PCB?
Utilice una zona de cobre adecuada y vías térmicas para disipar hasta 42 W, y evalúe la resistencia de la unión al entorno para su estrategia de refrigeración.
¿Qué consideraciones sobre el rendimiento de conmutación surgen de la carga de puerta?
Corriente de controlador de presupuesto y velocidades de bajada alrededor del valor de carga de puerta de 19 nC para controlar las pérdidas de conmutación y las emisiones electromagnéticas durante las transiciones.
¿Hay recomendaciones de montaje específicas para un funcionamiento fiable?
Como dispositivo IPAK de montaje en superficie, asegúrese de juntas de soldadura seguras y un tamaño adecuado para la propagación del calor para mantener la temperatura dentro de la banda de funcionamiento de -55 °C a 150 °C.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS -400 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V IPAK
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines