MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD1NK60-1, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
761-2704
Nº ref. fabric.:
STD1NK60-1
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

IPAK

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2 mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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