MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 2.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9042
Nº ref. fabric.:
IPD60R2K0C6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

CoolMOS C6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

22.3W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.

Fácil de usar/conducir

Completamente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales

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