MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 14.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2525
Nº ref. fabric.:
IPD60R400CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

900mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

41W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)

R g integrado optimizado

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