MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4387
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4387
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R360P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.42mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.42mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 6.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de 600 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 9 A - IPD60R360P7ATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de conmutación y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y está diseñado para manejar altas tensiones de drenaje a fuente al tiempo que proporciona un comportamiento de conducción y conmutación controlado en fuentes de alimentación y circuitos relacionados.
Características y ventajas:
• La tensión máxima de drenaje a fuente de 600 V permite diseños de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite una capacidad de carga considerable
• La Rds(on) de 360 mΩ limita las pérdidas de conducción a corrientes de funcionamiento
• La carga de puerta típica de 13 nC reduce la energía de conmutación y la tensión
• La puerta a fuente máxima de 20 V soporta márgenes de accionamiento robustos
• La disipación de potencia de 41 W permite una carga térmica significativa
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite una capacidad de carga considerable
• La Rds(on) de 360 mΩ limita las pérdidas de conducción a corrientes de funcionamiento
• La carga de puerta típica de 13 nC reduce la energía de conmutación y la tensión
• La puerta a fuente máxima de 20 V soporta márgenes de accionamiento robustos
• La disipación de potencia de 41 W permite una carga térmica significativa
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Ideal para convertidores dc-dc de alta tensión
• Se utiliza con topologías de conmutación de puente y abrazadera
• Se puede utilizar para extremos frontales de accionamiento de motor industriales
• Adecuado para módulos de distribución de potencia de telecomunicaciones
• Ideal para convertidores dc-dc de alta tensión
• Se utiliza con topologías de conmutación de puente y abrazadera
• Se puede utilizar para extremos frontales de accionamiento de motor industriales
• Adecuado para módulos de distribución de potencia de telecomunicaciones
¿Qué consideraciones de embalaje y montaje debo planificar?
Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie
garantizar un patrón de tierra adecuado y vías térmicas si se requiere una propagación de calor a nivel de placa.
¿Cómo afecta el rango térmico a la implementación?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, por lo que se puede utilizar en entornos con variaciones extremas de temperatura sin reducción para extremos ambientales dentro de ese rango.
¿Qué restricciones de accionamiento de puerta se aplican durante el diseño?
Mantenga los cables de puerta cortos para minimizar la inductancia dada la carga de puerta de 13 nC y respete el límite absoluto de puerta a fuente de ±20 V durante condiciones de accionamiento y transitorios.
¿Cómo debo evaluar la capacidad de corriente en mi diseño?
Utilice la corriente nominal de drenaje continuo de 9 A como punto de referencia y verifique la resistencia térmica y la refrigeración a nivel del sistema para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites especificados.
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