MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD25NF10T4, VDSS 100 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-917
- Nº ref. fabric.:
- STD25NF10T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 151-917
- Nº ref. fabric.:
- STD25NF10T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones e informática.
Capacidad dv/dt excepcional
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
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