MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD25NF10T4, VDSS 100 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-917
- Nº ref. fabric.:
- STD25NF10T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 10 unidades)*
4,94 €
(exc. IVA)
5,98 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 7460 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,494 € | 4,94 € |
| 100 - 240 | 0,469 € | 4,69 € |
| 250 - 490 | 0,436 € | 4,36 € |
| 500 - 990 | 0,40 € | 4,00 € |
| 1000 + | 0,386 € | 3,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-917
- Nº ref. fabric.:
- STD25NF10T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | STripFET II | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie STripFET II | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones e informática.
Capacidad dv/dt excepcional
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines