MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-952
Nº ref. fabric.:
STD13NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

MDmesh II

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.36Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Anchura

6.6 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las cargas de resistencia y puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Capacitancia de entrada baja y carga de puerta

Resistencia de entrada de puerta baja

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