MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STGSH80HB65DAG, VDSS 650 V, Reducción, ACEPACK SMIT de 9 pines

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Código RS:
152-181
Nº ref. fabric.:
STGSH80HB65DAG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

HB

Encapsulado

ACEPACK SMIT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

456nC

Tensión directa Vf

1.9V

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

25.20mm

Altura

4.05mm

Certificaciones y estándares

Automotive-grade

Anchura

33.20 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo STMicroelectronics combina dos IGBT y diodos en una topología de medio puente montado en un encapsulado muy compacto y resistente que es fácil de montar en superficie. El dispositivo forma parte de la serie HB de IGBT, que está optimizada tanto en conducción como en pérdidas de conmutación para una conmutación suave. Un diodo de rueda libre con una baja caída de tensión de avance se incluye en cada interruptor.

AQG 324 cualificados

Serie de conmutación de alta velocidad

Corriente de cola minimizada

Distribución ajustada de los parámetros

Baja resistencia térmica gracias al sustrato DBC

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