Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STGSH80HB65DAG, VDSS 650 V, Reducción, ACEPACK SMIT de 9 pines

Código RS:: 152-181
Nº ref. fabric.:: STGSH80HB65DAG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STGSH80HB65DAG, VDSS 650 V, Reducción, ACEPACK SMIT de 9 pines

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Código RS:: 152-181
Nº ref. fabric.:: STGSH80HB65DAG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	ACEPACK SMIT
	Serie	HB
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	9
	Modo de canal	Reducción
	Tensión directa Vf	1.9V
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	456nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	Automotive-grade
	Longitud	25.20mm
	Altura	4.05mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado ACEPACK SMIT
	Serie HB
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 9
	Modo de canal Reducción
	Tensión directa Vf 1.9V
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 456nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares Automotive-grade
	Longitud 25.20mm
	Altura 4.05mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - STGSH80HB65DAG

COO (País de Origen):: CN

El dispositivo STMicroelectronics combina dos IGBT y diodos en una topología de medio puente montado en un encapsulado muy compacto y resistente que es fácil de montar en superficie. El dispositivo forma parte de la serie HB de IGBT, que está optimizada tanto en conducción como en pérdidas de conmutación para una conmutación suave. Un diodo de rueda libre con una baja caída de tensión de avance se incluye en cada interruptor.

AQG 324 cualificados

Serie de conmutación de alta velocidad

Corriente de cola minimizada

Distribución ajustada de los parámetros

Baja resistencia térmica gracias al sustrato DBC

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