MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH36N50P, VDSS 500 V, ID 36 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 194-546
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-322
- Nº ref. fabric.:
- IXFH36N50P
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
11,92 €
(exc. IVA)
14,42 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Existencias limitadas
- Disponible(s) 23 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 11,92 € |
| 5 - 9 | 11,67 € |
| 10 - 14 | 11,29 € |
| 15 - 19 | 11,19 € |
| 20 + | 11,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 194-546
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-322
- Nº ref. fabric.:
- IXFH36N50P
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 540W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 93nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.26mm | |
| Altura | 21.46mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 540W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 93nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.26mm | ||
Altura 21.46mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines